BQ25700A 是德州仪器（Texas Instruments, TI）推出的一款高度集成的电源管理芯片，主要用于单节或多节电池充电管理。
主要特性
多源充电：支持从多种输入源为 1 至 4 节电池充电，输入电压范围为 3.5V 至 24V，兼容 USB 2.0、USB 3.0、USB 3.1 (Type-C) 和 USB_PD。
功率管理：具有窄 VDC (NVDC) 电源路径管理，支持无电池或深度放电电池的瞬时启动，并能在适配器满载时由电池补充系统电量。
USB OTG 功能：支持从电池为 USB 端口供电，输出电压范围为 4.48V 至 20.8V，兼容 USB PD，输出电流限制高达 6.35A。
可编程开关频率：支持 800kHz 或 1.2MHz 的可编程开关频率，适用于 1μH 至 3.3μH 的电源器。
系统配置与控制：通过 SMBus 端口实现灵活的系统配置和状态报告，支持硬件引脚设置输入电流限制，无需外部控制器。
高精度监控：集成 ADC 监控电压、电流和功率，具有高精度的调节和监控功能。
安全性：包括热关断、过电压保护和 MOSFET 电磁过流保护等多种安全特性。
低静态电流：具有低电池静态电流，优化了电池使用效率。
输入电流优化器：可获取最大输入功率，支持多种化学电池充电。(ICO)
封装：采用 32 引脚 4 x 4 WOFN 封装。
引脚说明
| 引脚名称 | 引脚编号 | 输入/输出 | 描述 |
|---|---|---|---|
| VBUS | 1 | PMR | 充电器输入电压。建议使用 12Ω 和 0.47µF（最小）的输入低通滤波器。 |
| ACN | 2 | PWR | 输入电流检测电阻负端输入。ACP 和 ACN 的漏电流匹配。ACP 和 ACN 引脚上的串联电阻放置在检测电阻和滤波电容之间。请参阅数据手册《应用与实现》中的 ACP/ACN 滤波器设计。 |
| ACP | 3 | PWR | 输入电流检测电阻正端输入。ACP 和 ACN 的漏电流匹配。ACP 和 ACN 引脚上的串联电阻放置在检测电阻和滤波电容之间。请参阅数据手册《应用与实现》中的 ACP/ACN 滤波器设计。 |
| CHRG_OK | 4 | O | 开漏主动高电平指示器，用于通知系统已连接到充电输入的良好电源。通过 10 kΩ 电阻连接到上拉电源轨。当 VBUS 上升到 3.5V 以上或下降到 24.5V 以下时，CHRG_OK 在 50ms 去抖时间后为高电平。当 VBUS 下降到 3.2V 以下或上升到 26V 以上时，CHRG_OK 为低电平。发生故障时，CHRG_OK 被置为低电平。 |
| EN_OTG | 5 | I | 高电平有效以启用 OTG 模式。当 EN_OTG 引脚为高电平且 REG0x32[13] 为高电平时，可以启用 OTG，请参阅 USB On-The-Go (OTG) 以了解如何启用 OTG 功能的详细信息。 |
| ILIM_HIZ | 6 | I | 输入电流限制输入。通过从电源轨到 ILIM_HIZ 引脚再到地的电阻分压器编程 ILIM_HIZ 电压。引脚电压计算为：V(ILIM_HIZ) = 1V + 40 × IDPM × RAC，其中 IDPM 是目标输入电流。充电器使用的输入电流限制是 ILIM_HIZ 引脚和 REG0x3F() 的较低设置。当引脚电压低于 0.4V 时，设备进入高阻模式，静态电流低。当引脚电压高于 0.8V 时，设备退出高阻模式。 |
| VDDA | 7 | PMR | 内部参考偏置引脚。从 REGN 到 VDDA 连接一个 10Ω 电阻，并从 VDDA 到电源地连接一个 1µF 陶瓷电容。 |
| IADPT | 8 | I/O | 缓冲的适配器电流输出。V(IADPT) = 20 或 40 × (V(ACP) − V(ACN))。比例可通过 REG0x12[4] 选择。根据使用的电感从 IADPT 引脚到地放置一个电阻。对于 2.2μH，电阻为 137kΩ。在 IADPT 引脚到地之间放置一个 100pF 或更小的陶瓷去耦电容。IADPT 输出电压被钳位在 3.3V 以下。 |
| IBAT | 9 | O | 由 SMBus 选择的缓冲电池电流。V(IBAT) = 8 或 16 × (V(SRP)−V(SRN)) 用于充电电流，或 V(IBAT) = 8 或 16 × (V(SRN)−V(SRP)) 用于放电电流，比例可通过 REG0x12[3] 选择。在 IBAT 引脚到地之间放置一个 100pF 或更小的陶瓷去耦电容。如果未使用，此引脚可以悬空。其输出电压被钳位在 3.3V 以下。 |
| PSYS | 10 | O | 电流模式系统功率监视器。输出电流与来自适配器和电池的总功率成正比。增益可通过 SMBus 选择。从 PSYS 到地放置一个电阻以生成输出电压。如果未使用，此引脚可以悬空。其输出电压被钳位在 3.3V 以下。在电阻上并联一个电容以进行滤波。 |
| PROCHOT | 11 | O | 处理器热指示器的低电平有效开漏输出。它监控适配器输入电流、电池放电电流和系统电压。在 PROCHOT 配置文件中的任何事件触发后，会发出一个脉冲。最小脉冲宽度可在 REG0x33[5:2] 中调整。 |
| SDA | 12 | I/O | SMBus 开漏数据 I/O。连接到主机控制器或智能电池的数据线。根据 SMBus 规格连接一个 10kΩ 上拉电阻。 |
| SCL | 13 | I | SMBus 时钟输入。连接到主机控制器或智能电池的时钟线。根据 SMBus 规格连接一个 10kΩ 上拉电阻。 |
| CMPIN | 14 | I | 独立比较器的输入。独立比较器将 CMPIN 引脚上的电压与内部参考电压进行比较，输出在 CMPOUT 引脚上。内部参考电压、输出极性和去抖时间可通过 SMBus 选择。当极性为高（REG0x30[6] = 1）时，在 CMPIN 和 CMPOUT 之间放置一个电阻以设置滞后。当极性为低（REG0x30[6] = 0）时，内部滞后为 100mV。如果独立比较器未使用，将 CMPIN 接地。 |
| CMPOUT | 15 | O | 独立比较器的开漏输出。从 CMPOUT 到上拉电源轨放置一个上拉电阻。内部参考电压、输出极性和去抖时间可通过 SMBus 选择。 |
| COMP1 | 16 | I | 降压-升压转换器补偿引脚 1。请参阅 bq25700 EVM 原理图中的 COMP1 引脚 RC 网络。 |
| COMP2 | 17 | I | 降压-升压转换器补偿引脚 2。请参阅 bq25700 EVM 原理图中的 COMP2 引脚 RC 网络。 |
| CELL_BATPRESZ | 18 | I | 电池单元选择引脚，用于 1-4 单元电池设置，CELL_BATPRESZ 引脚从 VDDA 偏置。CELL_BATPRESZ 引脚还将 SYSOVP 阈值设置为 1 单元时为 5V，2 单元时为 12V，3 单元/4 单元时为 19.5V。CELL_BATPRESZ 引脚拉低至 VCELL_BATPRESZ_FALL 以下以指示电池移除。设备退出 LEARN 模式并禁用充电。REG0x15() 恢复为默认值。 |
| SRN | 19 | PMR | 充电电流检测电阻负端输入。SRN 引脚也用于电池电压检测。将 SRN 引脚与可选的 0.1 µF 陶瓷电容连接到 GND 以进行共模滤波。在 SRP 和 SRN 之间连接一个 0.1µF 陶瓷电容以提供差模滤波。SRP 和 SRN 的漏电流匹配。为防止反向电池插入，SRP 和 SRN 上放置了 10Ω 的串联电阻。 |
| SRP | 20 | PMR | 充电电流检测电阻正端输入。在 SRP 和 SRN 之间连接一个 0.1µF 陶瓷电容以提供差模滤波。SRP 和 SRN 的漏电流匹配。为防止反向电池插入，SRP 和 SRN 上放置了 10Ω 的串联电阻。将 SRP 引脚与可选的 0.1µF 陶瓷电容连接到 GND 以进行共模滤波。 |
| BATDRV | 21 | O | P 沟道电池 FET (BATFET) 栅极驱动输出。短路到 VSYS 以关闭 BATFET。低于 VSYS 10V 以完全打开 BATFET。当电池耗尽时，BATFET 处于线性模式以调节 VSYS 至最小系统电压。在快速充电和补充模式下，BATFET 完全打开。 |
| VSYS | 22 | PMR | 充电器系统电压检测。系统电压调节限制在 REG(x15f) 和 REG(x3Ef) 中编程。 |
| SW2 | 23 | PMR | 升压模式高侧功率 MOSFET 驱动器源极。连接到高侧 n 沟道 MOSFET 的源极。 |
| HIDRV2 | 24 | O | 升压模式高侧功率 MOSFET (Q4) 驱动器。连接到高侧 n 沟道 MOSFET 栅极。 |
| BTST2 | 25 | PWR | 升压模式高侧功率 MOSFET 驱动器电源。在 SW2 和 BTST2 之间连接一个 0.047 µF 电容。REGN 和 BTST2 之间的自举二极管已集成。 |
| LODRV2 | 26 | O | 升压模式低侧功率 MOSFET (Q3) 驱动器。连接到低侧 n 沟道 MOSFET 栅极。 |
| PGND | 27 | GND | 设备电源地。 |
| REGN | 28 | PWR | 6 V 线性稳压器输出，由 VBUS 或 VSYS 供电。当 VBUS 高于 VVBUSVVBUS 凸点时，LDO 处于活动状态。从 REGN 到电源地连接一个 2.2 或 3.3μF 陶瓷电容。REGN 引脚输出用于电源级栅极驱动。 |
| LODRV1 | 29 | O | 降压模式低侧功率 MOSFET (Q2) 驱动器。连接到低侧 n 沟道 MOSFET 栅极。 |
| BTST1 | 30 | PWR | 降压模式高侧功率 MOSFET 驱动器电源。在 SW1 和 BTST1 之间连接一个 0.047µF 电容。REGN 和 BTST1 之间的自举二极管已集成。 |
| HIDRV1 | 31 | O | 降压模式高侧功率 MOSFET (Q1) 驱动器。连接到高侧 n 沟道 MOSFET 栅极。 |
| SW1 | 32 | PMR | 降压模式高侧功率 MOSFET 驱动器源极。连接到高侧 n 沟道 MOSFET 的源极。 |
| 热焊盘 | – | – | IC 下方的裸露焊盘。模拟地和电源地在 IC 的地附近星形连接。始终将热焊盘焊接到电路板上，并在热焊盘平面上设置通孔连接到电源地平面。它还用作散热焊盘以散发热量。 |
PMR：这通常表示“Power Management Rail”（电源管理轨），指的是与电源管理相关的引脚。这些引脚通常用于电源输入、输出或电源管理功能。
PWR：表示“Power”（电源），指的是与电源相关的引脚，如电源输入、电源输出或电源参考电压。
I：表示“Input”（输入），指的是该引脚用于输入信号或电压。
O：表示“Output”（输出），指的是该引脚用于输出信号或电压。
I/O：表示“Input/Output”（输入/输出），指的是该引脚既可以作为输入也可以作为输出。
示例电路
BATDRV：这个引脚控制电池的充电和放电，通过电流控制电池的充电过程。
VSYS：通过这个引脚，芯片可以向外部电路（比如主控 MCU）提供电源。当充电过程进行时，它可以从电池获取电源。
SRP/SRN：这两个引脚用于电池电压和充电电流的监测，可以帮助芯片评估电池的状态，并根据电池的健康状况调整充电策略。
CELL_BATPRESZ：这是一个电池存在检测引脚，可以检测电池是否存在或是否正常连接。
SDA 和 SCL：这两个引脚用于与主控 MCU 进行通信。它们支持 SMBus 协议，允许主控读取或写入 BQ25700A 的寄存器，从而控制充电参数或读取电池状态。
Host：通过 I2C（或 SMBus）接口，主控设备可以与 BQ25700A 进行数据交互，例如设置充电电流、电压、监测电池的健康状态等。
REGN：这是一个用于电压稳定的参考电压引脚，可以为其他相关电路提供稳定的电源。
COMP1 和 COMP2：这些引脚用于电流控制，芯片通过它们调整充电电流，使电池的充电过程更平稳、避免过充或过流。
ILIM_HIZ：这个引脚控制充电电流的限制，防止电池被过快充电。
CHRG_OK：这个引脚指示充电是否正常，当充电完成时会发出信号。
CMPIN：用于保护电池免受过压或过温影响。
通信方式
BQ25700A 电池管理芯片通过 SMBus （System Management Bus）进行通信，它与主控 MCU（如微控制器）之间的通信方式与 I2C 非常相似。SMBus 是 I2C 的一种扩展协议，专门用于电池、温控、电源管理等硬件设备的通信。
如果主控没有直接支持 SMBus 协议，但你仍然想与 BQ25700A 通信，实际上可以通过 I2C 接口来实现通信，因为 SMBus 基于 I2C 协议，它们在物理层面上是兼容的。
BQ25700A 的 SMBus 地址是 0x12（7 位地址）。
写入格式
S (Start Condition)：表示起始条件，主设备发出一个信号，表明通信的开始。
SLAVE ADDRESS：从设备的地址（7位），标识目标设备。
W (Write bit)：写入位，值为 0，表示写操作。
ACK (Acknowledge)：应答信号，接收设备确认收到数据。
COMMAND BYTE：命令字节，主设备向从设备发送的命令，用于指示操作的类型或目标寄存器。
LOW DATA BYTE 和 HIGH DATA BYTE：分别是数据的低字节和高字节。在一个完整的数据传输中，数据被分为低字节和高字节，逐字节传输。
P (Stop Condition)：停止条件，表示通信的结束
写入时序图
A = Start condition（起始条件）：
- 当通信开始时，主设备在 SMBCLK 为高电平时，SMBDATA 从高电平变为低电平。这个状态表示开始一个新的通信会话。
B = MSB of address clocked into slave（地址的高位字节被时钟同步到从设备）：
- 在主设备发送起始信号后，主设备开始向从设备发送地址的高位字节。此时，SMBDATA 会根据时钟信号（SMBCLK）同步传输数据。
C = LSB of address clocked into slave（地址的低位字节被时钟同步到从设备）：
- 继续传送从设备的地址，此时传送的是地址的低位字节。
D = R/W bit clocked into slave（读写位被时钟同步到从设备）：
- 主设备发送读写控制位，指定当前操作是读取还是写入。读写位（R/W）在这个阶段通过 SMBDATA 传送给从设备。
E = Slave pulls SMBDATA line low（从设备将 SMBDATA 拉低）：
- 从设备确认接收到主设备发出的地址和读写位后，它会拉低数据线，表示准备好接收数据或者准备发送数据。
F = ACKNOWLEDGE bit clocked into master（主设备接收到的应答位）：
- 从设备通过拉低 SMBDATA 线来确认它已成功接收到主设备发送的数据或命令。
G = MSB of data clocked into slave（数据的高位字节被时钟同步到从设备）：
- 主设备将要写入的数据的高位字节通过 SMBCLK 时钟信号发送到从设备。SMBDATA 数据线同步传送。
H = LSB of data clocked into slave（数据的低位字节被时钟同步到从设备）：
- 数据的低位字节被发送到从设备，继续通过 SMBDATA 进行传输。
I = Slave pulls SMBDATA line low（从设备将 SMBDATA 拉低）：
- 从设备确认已接收到数据的低位字节，再次拉低数据线进行应答。
J = Acknowledge clocked into master（主设备接收到的应答信号）：
- 主设备通过时钟信号接收到从设备的确认信号，表明数据已成功传输。
K = Acknowledge clock pulse（应答时钟脉冲）：
- 这表示主设备在通信过程中接收来自从设备的确认信号的时钟脉冲。
L = Stop condition, data executed by slave（停止条件，数据由从设备执行）：
- 在所有数据传输完成后，主设备发出停止条件（Stop condition），这标志着通信会话的结束。从设备会根据收到的数据执行操作。
M = New start condition（新的起始条件）：
- 如果主设备需要重新启动一个新的通信会话，它可以发出新的起始条件（Start condition）。
读取格式
S (Start Condition)：表示起始条件，主设备发出一个信号，表明通信的开始。
SLAVE ADDRESS：从设备的地址（7位），标识目标设备。
R (Read bit)：读取位，值为 1，表示读操作。
ACK (Acknowledge)：应答信号，接收设备确认收到数据。
LOW DATA BYTE 和 HIGH DATA BYTE：分别是数据的低字节和高字节。从设备返回的数据被分为低字节和高字节，主设备逐字节读取。
NACK (Not Acknowledge)：非应答信号，表示读取完毕或传输结束。
P (Stop Condition)：停止条件，表示通信的结束。
读取时序图
A = Start condition: 这是传输开始的标志，数据线从高电平跳到低电平。
B = MSB of address clocked into slave: 这是传输地址的最高有效位（MSB），被时钟信号驱动传送给从设备。
C = LSB of address clocked into slave: 地址的最低有效位（LSB）被传送给从设备。
D = R/W bit clocked into slave: 读写控制位（R/W）传送给从设备，决定是读操作还是写操作。
E = Slave pulls SMBDATA line low: 从设备拉低数据线，表示准备响应。
F = ACKNOWLEDGE bit clocked into master: 主设备收到从设备的响应，表示数据有效。
G = MSB of data clocked into master: 数据的最高有效位（MSB）被传送给主设备。
H = LSB of data clocked into master: 数据的最低有效位（LSB）被传送给主设备。
I = Acknowledge clock pulse: 主设备发出时钟脉冲，从设备回传响应信号。
J = Stop condition: 这是传输的停止条件，数据线从低电平跳到高电平，表示数据传输结束。
K = New start condition: 新的起始条件，表示将开始新的数据传输
寄存器
| SMBus 地址 | 寄存器名称 | 类型 | 描述 |
|---|---|---|---|
| 12h | ChargeOption00 | 读写 | 充电选项 0 |
| 14h | ChargeCurrent | 读写 | 7 位充电电流设置，LSB 64mA，范围 8128mA |
| 15h | MaxChargeVoltage | 读写 | 11 位充电电压设置，LSB 16mV，默认值：1S-4192mV, 2S-8400mV, 3S-12592mV, 4S-16800mV |
| 30h | ChargeOption10 | 读写 | 充电选项 1 |
| 31h | ChargeOption20 | 读写 | 充电选项 2 |
| 32h | ChargeOption30 | 读写 | 充电选项 3 |
| 33h | ProchotOption00 | 读写 | PROCHOT 选项 0 |
| 34h | ProchotOption10 | 读写 | PROCHOT 选项 1 |
| 35h | ADCOption | 读写 | ADC 选项 |
| 20h | ChargerStatus | 只读 | 充电状态 |
| 21h | ProchotStatus | 只读 | PROCHOT 状态 |
| 22h | IIN_DPM | 只读 | 7 位输入电流限制，LSB 50mA，范围 50mA - 6400mA |
| 23h | ADCVBUS/PSYS | 只读 | 输入电压的 8 位数字输出，系统功率 PSYS 的 8 位数字输出，PSYS 全范围：3.06V，LSB 12 mV，VBUS 全范围：3.2V - 19.52V，LSB 64mV |
| 24h | ADCIBAT | 只读 | 电池充电电流的 8 位数字输出，电池放电电流的 8 位数字输出，ICHC 全范围 8.128A，LSB 64mA，IDCHG 全范围：32.512A，LSB 256mA |
| 25h | ADCIN/CMPIN | 只读 | 输入电流的 8 位数字输出，CMPIN 电压的 8 位数字输出，POR 状态 - IN 全范围：12.75 A，LSB 50mA，CMPIN 全范围：3.06V，LSB 12mV |
| 26h | ADCVSYSVBAT | 只读 | 系统电压的 8 位数字输出，电池电压的 8 位数字输出，VSYS 全范围：2.88V - 19.2V，LSB 64 mV，VBAT 全范围：2.88V - 19.2V，LSB 64mV |
| 38h | OTGVoltage | 读写 | 8 位 OTG 电压设置，LSB 64mV，范围：4480 – 20800mV |
| 3Ch | OTGCurrent | 读写 | 7 位 OTG 输出电流设置，LSB 50mA，范围：0A – 6350mA |
| 3Dh | InputVoltage | 读写 | 8 位输入电压设置，LSB64 mV，范围：3200mV – 19520mV |
| 3Eh | MinSystemVoltage | 读写 | 6 位最小系统电压设置，LSB 256mV，范围：1024mV - 16182mV，默认值：1S-3.584V, 2S-6.144V, 3S-9.216V, 4S-12.288V |
| 3Fh | IIN_HOST | 读写 | 主机设置的 6 位输入电流限制，LSB 50mA，范围：50 mA - 6400mA |
| FEn | ManufacturerID | 只读 | 制造商 ID - 0x0040H |
| FFh | DeviceID | 只读 | 设备 ID |
具体描述请查看数据手册。